納米燒結銀和微米燒結銀的區(qū)別

隨著半導體行業(yè)的飛速發(fā)展，電子元器件日趨精密、微型化和集成化，勢必導致封裝密度與功率密度更高，因而會對封裝的散熱和可靠性要求越來越高。傳統(tǒng)的連接材料如導電膠無法滿足大功率器件的低溫固化高溫服役要求，于是應用于大功率半導體器件封裝的納米銀膏越來越受到市場的歡迎。

使用納米銀顆粒在低溫下進行有壓燒結是目前用于SIC芯片鍵合較有前途的材料，這種方法具有較高的溫度相容性，并且能夠提供很好的導熱性。納米燒結銀膏AS9375系列較大的優(yōu)勢是其低溫連接、高溫服役的特殊性能，該性能可以保證連接工藝造成的熱失配較小，殘余應力低，接頭可靠性高。

燒結技術是通過高溫使材料表面原子互相擴散，從而形成致密晶體的過程。低溫燒結技術通過減小燒結顆粒的尺寸，可降低燒結溫度。

納米銀粉由于其獨特的納米特性，為半導體芯片的封裝提供了另一個嶄新的思路。銀的熔點是961℃，而當顆粒尺寸到納米級別，其熔點會顯著降低，因此AS9375燒結銀可以通過低溫燒結實現電子產品或芯片的互聯(lián)，而燒結后的燒結層熔點又恢復到銀的常規(guī)熔點，可滿足電子產品在高溫下正常使用，并且銀具有優(yōu)異的導熱導電性和良好的化學穩(wěn)定性，是半導體封裝較有應用前景的互連材料之一。

一 納米燒結銀膏和微米燒結銀膏差別

微米銀膏作為電子封裝材料已得到應用，與納米銀膏燒結連接相比，微米銀膏銀顆粒的尺寸較大，其燒結溫度較高貨燒結壓力較大，燒結連接特性也有一定差異。

對比分析納米銀膏與微米銀膏燒結連接強度的差異：將微米銀膏與納米銀膏在相同條件下燒結連接鍍銀銅塊，在5MPa條件下，納米銀膏燒結接頭的剪切強度是微米銀膏的9倍多。納米銀膏在低燒結壓力條件下其剪切強度有明顯優(yōu)勢。

對比分析納米銀膏與微米銀膏燒結接頭斷口情況，將燒結接頭在顯微組織下分析，納米銀膏接頭燒結層與鍍銀層結合較好，燒結層為微孔結構，孔隙率低。納米銀膏燒結層導熱率高于微米銀膏燒結層，使用納米銀膏有利于延長電子器件的使用壽命。